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全球首款 238 層快閃記憶體晶片面世

據韓聯社報導,韓國半導體製造商SK海力士3日表示,公司成功研發出全球首款業界最高層數的238層512Gb TLC (Triple Level Cell)4D快閃記憶體晶片(NAND)樣品(見圖),該晶片將於明年上半年實現量產。
全球首款 238 層快閃記憶體晶片面世

SK海力士當天在美國加州舉行的2022全球快閃記憶體峰會上公開該產品。公司表示,這是公司自2020年12月研發出176層NAND後時隔1年零7個月成功研發下一代新技術。尤其是新產品既擁有業界最高層數,也是目前最小的NAND產品,其意義重大。

與176層NAND相比,新產品的生產效率提升34%,數據傳輸速度(每秒2.4Gb)提升50%,功耗減少21%。SK海力士計劃先為用戶端固態硬碟(SSD)供應238層NAND,之後逐步將產品使用範圍擴大至智能手機和大容量伺服器固態硬碟,並於明年推出該產品的1Tb擴容版◆

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