據介紹，與前幾代使用鰭式場效應電晶體(FinFET)的晶片不同，第一代3納米工藝採用GAA電晶體技術，大幅提升了效能。與三星5納米工藝相比，第一代3納米工藝可使功耗降低45%，性能提升23%，晶片面積減少16%。三星表示，將於明年投入的第二代3納米工藝能使功耗降低50%，性能提升30%，晶片面積減少35%。
三星電子計劃將3納米制程工藝優先應用於高性能計算(HPC)晶片，再擴大至移動系統晶片(SoC)等。此外，三星電子還計劃從2025年開始生產基於GAA的2納米晶片，力爭在先進晶片製造領域趕超台積電(TSMC)。
據中國台灣調研機構集邦諮詢(TrendForce)提供的資料，以今年第一季度為準，台積電的全球市場份額以53.6%位居第一，三星電子以16.3%位居第二。據悉，台積電計劃下半年起量產3納米晶片，再將GAA技術應用於其2納米工藝◆
