三星下一代顯存採用使用EUV光刻機生產的第三代10納米級工藝，容量達16Gb，傳輸速度較上一代提升30%。若集成在高端顯卡，帶寬可達到1.1TB/s，相當於每秒傳輸275部全高清電影。
該產品還適用動態電壓調整(DVS)技術，能效提高20%以上，工作電壓由1.35V降至1.1V，可延長筆記本電腦的電池續航時間。
該產品有望搭載於個人電腦、筆記本電腦、遊戲主機等重度圖形處理設備，可廣泛應用於高性能計算(HPC)、電動汽車和無人駕駛車等領域。三星電子方面表示，預計該顯存本月將搭載於客戶的下一代系統上得到驗證。為了順應市場需求，公司將適時實現商用化，繼續引領下一代顯存市場。
據市場調研機構奧姆迪亞(Omdia)發佈的數據，去年三星電子全球顯存動態隨機存取存儲器(DRAM)市佔率為38.9%，位居第一◆
